| ||||||
| Специальный поиск | ||||||
|
|
||||||
холловская разность потенциалов Задача 26386 Перпендикулярно однородному магнитному полю, индукция которого равна 0,1 Тл, помещена тонкая пластинка из примесного кремния. Ширина пластинки равна 4 см. Определить плотность тока, при которой холловская разность потенциалов достигнет значения 0,5 В. Постоянную Холла для кремния принять равной 0,3 м3/Кл. Задача 17009 Кремниевая пластина шириной b = 2 см помещена в однородное магнитное поле с индукцией В = 0,1 Тл перпендикулярно линиям магнитной индукции. Холловская разность потенциалов Ux = 0,368 В возникает на гранях пластины при протекании тока с плотностью j = 0,5 А/мм2 вдоль пластины. Определить концентрацию носителей тока. Задача 17095 По медной пластине длиной 10 см, шириной 2 см и толщиной 1 мм протекает электрический ток силой 4 А. Разность потенциалов при этом на концах пластины равна 5·10–4 В. Если, не выключая тока, поместить пластину в перпендикулярное ей (параллельное короткой стороне) однородное магнитное поле с индукцией 0,1 Тл, то на противоположных боковых гранях возникнет холловская разность потенциалов 5·10–8 В. Определить концентрацию свободных электронов в меди и их подвижность. Задача 21772 Определите величину холловской разности потенциалов, при которой сила Лоренца, действующая на носители тока, равна 8·10–13 Н. Высота пластинки равна 3,1 мм. Задача 22621 В однородное магнитное поле с индукцией 0,4 Тл помещена тонкая пластинка размером 15×4×2,5 мм3, изготовленная из германия. Магнитное поле перпендикулярно большей грани пластинки. В пластинке течет ток, параллельный длинной стороне. Определите концентрацию свободных носителей зарядов и удельную электропроводность пластинки, если холловская разность потенциалов равна 2,5 мВ при плотности тока 15,5 мкА/мм2? Задача 22971 К концам пластины из p-полупроводника (высота d = 10 мм, длина L = 100 мм) приложили разность потенциалов U = 10 В и поместили ее в перпендикулярное однородное магнитное поле с индукцией В = 0,1 Тл. При этом возникает холловская разность потенциалов ΔφХ = 0,1 В. Найти концентрацию и подвижность дырок, если удельное сопротивление полупроводника равно ρ = 2 Ом·мм. | ||||||